IXSN52N60AU1
Fig.1 Saturation Characteristics
Fig.2 Output Characterstics
80
70
T J = 25°C
V GE = 15 V
13V
200
180
T J = 25°C
V GE = 15V
60
50
40
30
20
11V
9V
160
140
120
100
80
60
40
13V
11V
10
7V
20
9V
7V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
V CE - Volts
Fig.3 Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
V CE - Volts
Fig.4 Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
10
9
8
7
T J = 25° C
1.5
1.4
1.3
V GE =15V
I C = 80A
6
1.2
5
4
3
2
1
I C = 20A
I C = 40A
I C = 80A
1.1
1.0
0.9
0.8
I C = 40A
I C = 20A
0
0.7
8
9
10
11
12
13
14
15
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
80
V GE - Volts
Fig.5 Input Admittance
V CE = 10V
1.3
T J - Degrees C
Fig.6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
70
60
50
1.2
1.1
BV CES
I C = 3mA
40
T J = 25 ° C
1.0
30
20
10
T J = 125°C
T J = - 40°C
0.9
0.8
V GE8th)
I C = 4mA
0
0.7
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V GE - Volts
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-5
相关PDF资料
IXSN55N120AU1 IGBT 80A 1200V SOT-227B
IXSN55N120A IGBT 1200V SCSOA SOT-227B
IXSN62N60U1 IGBT 90A 600V SOT-227B
IXSN80N60BD1 IGBT 600V SCSOA SOT-227B
L17D438SP TOOL INSERT/EXTRACT FOR 17RR
L595200 CONTROL CURRNT TRNSFMR 200A IART
LC4HW-R6-DC24VS COUNTER DIGITAL 24VDC SCREW TERM
LCS-10 LIQUID LEVEL CONTROL
相关代理商/技术参数
IXSN55N100U1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B
IXSN55N120 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT
IXSN55N120A 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSN55N120AU1 功能描述:IGBT 晶体管 110 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSN55N120U1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 83A I(C) | SOT-227B
IXSN62N60AU1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 90A I(C) | SOT-227B
IXSN62N60U1 功能描述:IGBT 晶体管 90 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSN80N60A 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current IGBT - Short Circuit SOA Capability